CIGS是太阳能薄膜电池CuInxGa(1-x)Se2的简写，主要组成有Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒)，具有光吸收能力强，发电稳定性好、转化效率高，白天发电时间长、发电量高、生产成本低以及能源回收周期短等优点。

　　由于反应温度低，可在200C左右的温度下制造，因此可在玻璃、不锈钢板、铝箔、陶瓷板、聚合物等基片上淀积薄膜，易于实现规模化生产，降低成本。

　　非晶硅光吸收系数大,硅膜的厚度可极薄。例如，使用单晶硅，要充分吸收太阳光，需要的厚度为180 ~ 200um;而使用非晶硅，只要1μum就已足够,并且不需像单晶那样切片,材料的浪费极少。

　　采用玻璃基板的非晶硅太阳电池,其主要工序目前普遍采用的是等离子增强型化学气相淀积(PECVD)法，生产方式具有自动化程度高、生产效率高的特点。此种制作工艺可以连续在多个真空淀积室或多片在一个沉积室内完成，从而实现大批量生产。

　　用PECVD法制备非晶硅，基板温度仅200~250C，且放电电极所需的放电功率密度较低。与单晶硅在1412C以上反复多次熔解相比，所消耗的电力少得多。晶体硅太阳电池的能量偿还时间为2-3年，而转换效率为6%的非晶硅太阳电池只要1-1.5年

　　当太阳能电池工作温度高于标准测试温度25C时，其输出功率会有所下降星空体育平台。对于晶体硅电池，温度每升高1C，输出功率约下降0.5% ;而薄膜电池温度系数较低，如非晶硅太阳电池只下降0.25%，因而其输出功率受温度的影响比晶体硅太阳电池要小得多。例如，座IMW的单晶硅电池光伏电站,在太阳电池的温度达到65℃时.输出功率只有800kW，而如果来用相同功率的CdTe电池，在同样温度下，其输出功率还有900kW。

　　由于非晶硅电池在整个可见光范围内的光谱响应范围宽，在实际使用中对低光强有较好的适应性，而且能够吸收散射光。与相同功率的晶体硅太阳电池相比，非晶硅电池的发电量约可增加10%。

　　实用的集成型薄膜太阳电池已经在工艺中实现了电池互联输出电压高，避免了晶体硅太阳电池组件互联封装引起的可靠性等问题。

　　(8)适合与建筑体化( BFV),可以根据需要制成不同的透光率代替玻璃幕城:地可有成以不锈钢或聚合物为村底的柔性电池，适合于建筑物曲面屋顶等处使用;还可以做成折叠式电源，方便携带，供给小型仪器计算机及军事通信GPS等领域的移动设备使用。

　　与晶体硅相比，使用时要占用较大的面积，这在安装空间有限的情况下,将会受到限制,相应的BOS系统成本也要增加。

　　由于非晶硅的光致衰减特性，非晶硅电池的光电转换效率在强光照后含有输出逐渐衰退的现象。这在一定程度上影响了这种低成本电池的应用。

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